NOR闪存和NAND闪存有啥区别？
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FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
闪存可以在软件的控制下写入和擦写数据。其存储空间被分割成相对较大的可擦除单元，成为擦除块（erase block）。 Flash分为NAND flash和NOR flash二种。那么这二者有什么区别呢？一、性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
引导块闪存的架构
NOR在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0！即我们常说的先擦后写。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 1、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、容量和成本
NAND fla...点击查看剩余70%
by thinkfuture
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